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产品分类
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产品信息
K9F1G08U0B
FLASH MEMORY
128M x 8位NAND快闪记忆体
产品列表
产品编号
K9F1G08U0B-P
VCC范围
2.70 ~ 3.60V
组织
x8
PKG型
TSOP1
特点
•
电源电压
- 3.3V Device(K9F1G08U0B) : 2.70V ~ 3.60V
•
组织
- 存储单元阵列（128M + 4M）×8位
- 数据寄存器（2K +64）×8位
•
自动编程和擦除
- 程序：（2K + 64）字节
- 块擦除（128K + 4K）字节
•
页读操作
- 尺寸：（2K + 64）字节
- Random Read : 25μs(Max.)
- 串行接口：为25ns（*小）
•
快速写周期时间
- Page Program time : 200μs(T*.)
- 块擦除时间为1.5ms（典型值）
•
命令/地址/数据复用I / O端口
•
硬件数据保护
- 编程/擦除锁定在电源转换
•
*的CMOS浮动门技术
耐用性：100K编程/擦除周期（与1bit/512Byte
ECC）
- 数据保存：10年
•
命令式操作
•
智能复制回与内部1bit/528Byte的EDC
•
用于版权保护的*ID
•
包装方式：
- K9F1G08U0B-PCB0/PIB0：无铅封装
48 - 引脚TSOP I（12×20 / 0.5毫米间距）